INTEL DC P4501 Series 2TB

Gewicht: 14 g,Höhe: 22 mm,Breite: 110 mm,Betriebstemperatur: 0 - 55 °C,Maximale Betriebstemperatur: 55 °C,Vibrationen außer Betrieb: 3,13 G,Vibrationen in Betrieb: 2,17 G,Schock bei Betrieb/Stillstand: 1000G (0.5ms),Energieverbrauch (idle): 3,5 W,Durchschnittlicher Stromverbrauch (Lesen): 8,25 W,Durchschnittlicher Stromverbrauch (Schreiben): 8,25 W,Energieverbrauch (Betrieb): 8,25 W,Schreibrate: 1430 MB/s,Leserate: 2000 MB/s,Status: Launched,SSD-Gewicht: 14 g,SSD-Hardwareverschlüsselung: AES 256 bit,SSD-Stromverbrauch (aktiv): 8.25W,SSD-Stromverbrauch (Leerlauf): 3.5W,SSD-Beständigkeitsbewertung: Up to 1.95PBW,Startdatum: Q2'18,SSD-Schock: 1000G (0.5ms),Laufwerkskapazität: 2 TB,Letzte Änderung: 63903513,Produktfamilie: Rechenzentrum SSD,Produktreihe: Intel® SSD DC P4511 Series,Produktcodename: Cliffdale Refresh,Intel Rapid Start Technology-Version: 0,00,Version der Remote Secure Erase (RSE)-Technologie: 0,00,Warentarifnummer (HS): 84717070,Intel® Rapid-Start-Technologie: Nein,Intel® Smart-Response-Technologie: Nein,Intel® High Endurance Technology (HET): Nein,Intel® Smart Response Technologieversion: 0,00,Intel® Remote Secure Erase: Nein,Schnittstelle: PCI Express 3.1,Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES,Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 2000000 h,Speichertyp: TLC 3D NAND,SSD Speicherkapazität: 2 TB,Komponente für: Server/Arbeitsstation,Unkorrigierbare Bit Error-Rate (UBER): < 1 per 10^17 bits read,Lese-Latenzzeit: 85 µs,Schreib-Latenzzeit: 40 µs,Verbesserte Stromausfall-Datenschutz Technologie: Ja,Zufälliges Schreiben (100% span): 36000 IOPS,Zufälliges Lesen (100% span): 295000 IOPS,Hardwareverschlüsselung: Ja,SSD Temperaturüberwachung: Ja,End-to-End Datenschutz: Ja,SSD-Formfaktor: M.2,Marktsegment: Server,SSD ARK ID: 137112,NVMe: Ja,Exportkontroll-Klassifizierungsnummer (ECCN): 5A992C,Warenklassifizierungssystem zur automatisierten Nachverfolgung (CCATS): G162706,Temperaturüberwachung und -protokollierung: Ja,Zufällige Latenzzeit - Lesen (bis zu): 100 µs,Zufällige Latenzzeit - Schreiben (bis zu): 50 µs,Sequentielle Latenzzeit - Lesen (bis zu): 15 µs,Sequentielle Latenzzeit - Schreiben (bis zu): 20 µs